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OPTO DIODE位置传感器ODD-SXUV-DLPSD

OPTO DIODE位置传感器ODD-SXUV-DLPSD

产品介绍:ODD-SXUV-DLPSD,双侧UV/EUV亚微米位置分辨率传感器。新设备在暴露于紫外线和/或极紫外辐射后可提供高度稳定的响应。它采用TO-8无窗口封装,可大程度减少暴露于强烈的UV/EUV光子后二极管的响应度变化

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    天津 和平区 南营门街南京路235号河川大厦A座22B-1
产品特性:其他是否进口:否产地:其他
加工定制:否品牌: OPTO DIODE 型号: ODD-SXUV-DLPSD
规格:其他适用范围:其他

OPTO DIODE位置传感器ODD-SXUV-DLPSD详细介绍

天津瑞利光电科技有限公司优势经销美国OPTO DIODE位置传感器ODD-SXUV-DLPSD

产品型号:ODD-SXUV-DLPSD

关键字:OPTO DIODE位置传感器ODD-SXUV-DLPSD

关键字描述:

产品介绍:

ODD-SXUV-DLPSD,双侧UV / EUV亚微米位置分辨率传感器。新设备在暴露于紫外线和/或极紫外辐射后可提供高度稳定的响应。它采用TO-8无窗口封装,可大程度减少暴露于强烈的UV/EUV光子后二极管的响应度变化。ODD-SXUV-DLPSD的有效面积为5 mm x 5 mm,非常适合光刻应用以及需要使用200 nm以下波长的任何定位应用。

连续位置检测光电二极管设计用于位置检测1 nm至400 nm波长的光。在13 nm处的响应度通常为0.20 A/W;254 nm的响应度通常为0.02 A/W。在工作条件下,暗电流为10(典型值)和50(max.)nA。新的ODD-SXUV-DLPSD具有反向击穿电压,min.50伏,电容为40(典型值)至60(max.)pF。操作和存储温度范围从-10℃到40℃(环境温度)和-20℃到80℃(在氮气或真空条件下)。结温为max.70℃,引线焊接温度为0.080英寸,距外壳10秒钟为260℃。

参数:

活动区域:25 mm2

响应度R@13nm:0.20 A/W

响应度R@254nm:0.02 A/W

反向击穿电压,VR:min.50 V

电容,C:40pF(典型),60 pF(max)

上升时间VR = 30V,RL =50Ω:200 nm

分流电阻Vr =±10mV :5 MOhms

电极间电阻:5,000(min),10,000(典型),15,000(max)欧姆

ID的温度系数:1.15次/?C

位置非线性:±1 %(典型),±2%(max)

 

 

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